作者簡介
韋亞一 博士
中科院微電子研究所研究員,中科院大學微電子學院教授,博士生導師。1998年獲德國Stuttgart大學/Max-Planck固體研究所博士學位,師從諾貝爾物理學獎得主Klaus von Klitzing。長期從事半導體光刻設備、材料、軟體和製程研發,取得多項核心技術,發表90多篇的專業文獻。在中科院微電子研究所創立計算光刻研發中心,從事20nm以下技術節點的計算光刻技術研究,研究成果被廣泛應用於FinFET和3D NAND的量產工藝中。
前言
01 概述
1.1 積體電路的設計流程和設計工具
1.2 積體電路製造流程
1.3 可製造性檢查與設計製造協作最佳化
02 積體電路物理設計
2.1 設計匯入
2.2 晶片配置與電源規劃
2.3 佈局
2.4 時鐘樹綜合
2.5 佈線
2.6 簽核
03 光刻模型
3.1 基本的光學成像理論
3.2 光刻光學成像理論
3.3 光刻膠模型
3.4 光刻光學成像的評價指標
04 解析度提升技術
4.1 傳統解析度提升技術
4.2 多重圖形技術
4.3 光學鄰近修正技術
4.4 光源 光罩聯合最佳化技術
05 蝕刻效應修正
5.1 蝕刻效應修正流程
5.2 基於規則的蝕刻效應修正
5.3 基於模型的蝕刻效應修正
5.4 EPC 修正策略
5.5 非傳統的蝕刻效應修正流程
5.6 基於機器學習的蝕刻效應修正
06 可製造性設計
6.1 DFM 的內涵和外延
6.2 增強佈局的穩固性
6.3 與光刻製程連結的DFM
6.4 與CMP 製程連結的DFM
6.5 DFM 的發展及其與設計流程的結合
6.6 提高元件可靠性的設計(DFR)
6.7 基於設計的測量與DFM 結果的驗證
07 設計與製程協作最佳化
7.1 製程流程建立過程中的DTCO
7.2 設計過程中的DTCO
7.3 基於佈局的良率分析及壞點檢測的DTCO
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